元素 | Ti | Fe | C | N | H | 0 | 其他元素 |
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質(zhì)量分?jǐn)?shù)/% | 余量 | ≤0.30 | ≤0.1 | ≤0.05 | ≤0.015 | ≤0.05 | ≤0.40 |
分享:工業(yè)純鈦TA2的電解拋光/腐蝕工藝
鈦及其合金具有密度小、比強(qiáng)度高、耐蝕性和力學(xué)性能優(yōu)異等特性[1],但鈦的力學(xué)性能卻與鋼相似,鈦及鈦合金很難進(jìn)行金相制樣和金相檢驗(yàn)。尤其是純鈦,使用機(jī)械拋光[2],很難去除表面的劃痕,也很容易殘留污染物。故探索有效方法獲得清晰的鈦及鈦合金的金相組織非常必要。
目前,電解拋光[3-4]技術(shù)已廣泛應(yīng)用于金屬加工領(lǐng)域,技術(shù)人員在電解拋光原理、工藝參數(shù)、配方等方面進(jìn)行了較系統(tǒng)的研究[5-6],相比于機(jī)械拋光,電解拋光技術(shù)優(yōu)越得多。近來(lái),電解拋光應(yīng)用于制備鈦合金試樣的報(bào)道越來(lái)越多[7-10],夏雯等[11-12]給出了一些電解液配方和工藝數(shù)據(jù)。但是有些數(shù)據(jù)并不完整,加上設(shè)備不同、材料差異,實(shí)際拋光效果不穩(wěn)定且不理想。因此,電解液配制方案以及工藝參數(shù)的確定,需要根據(jù)實(shí)際操作來(lái)驗(yàn)證。筆者采用自主配制的電解液配方,選用氫氟酸+緩蝕劑作為電解液,對(duì)工業(yè)純鈦TA2試樣進(jìn)行電解拋光/腐蝕,探究了電解液成分、拋光電壓、拋光時(shí)間對(duì)金相組織的影響,以獲得最佳的電解液配方及匹配的參數(shù)。
1. 試驗(yàn)
1.1 試樣
選用西部超導(dǎo)公司生產(chǎn)的退火態(tài)工業(yè)純鈦TA2,化學(xué)成分見(jiàn)表1。試樣線切割截為10 mm的等長(zhǎng)小段,為保證制樣質(zhì)量,用牙托粉對(duì)試樣進(jìn)行鑲嵌,為了保證鑲嵌后試樣的導(dǎo)電性,試樣的頂部區(qū)域未用牙托粉鑲嵌。完全固化后,采用金相砂紙(120~1000號(hào))逐級(jí)打磨試樣表面,待其光亮待用。
1.2 電解液配方與工藝參數(shù)
在酸性溶液中:,
。
鈦是還原性很強(qiáng)的金屬,但鈦的表面容易生成致密、鈍性的氧化物薄膜,因此具有優(yōu)良的耐蝕性。在氫氟酸中或含有氟離子的酸(將氟化物加入酸中),氟離子可與鈦生成配合物促進(jìn)鈦的溶解,見(jiàn)式(1)。
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(1) |
因此筆者選擇HF作為電解液的主要成分之一,添加適量特種緩蝕劑和其他輔助藥劑進(jìn)行試驗(yàn),同時(shí)根據(jù)每次試驗(yàn)結(jié)果對(duì)電解液配方予以改善。此外,優(yōu)化電解工藝參數(shù),探究該電解液配方下的最優(yōu)電解工藝參數(shù)。按電解液配方種類,試驗(yàn)分為三組,詳見(jiàn)表2。
電解液編號(hào) | 電解液配方 | 電解參數(shù)編號(hào) | 拋光電壓/V | 電解液流量/(mL·s-1) | 拋光時(shí)間/s |
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1 | V(HF)∶V(HNO3)∶V(H2O)=1∶2∶3 | 參數(shù)1 | 40 | 20 | 8 |
參數(shù)2 | 40 | 15 | 8 | ||
參數(shù)3 | 40 | 15 | 10 | ||
2 | V(HF)∶V(CH2CH3OH)∶V(H2O)=1∶2∶4 | 參數(shù)4 | 45 | 15 | 16 |
參數(shù)5 | 45 | 19 | 30 | ||
參數(shù)6 | 45 | 19 | 50 | ||
3 | 90 mL HF,10/20 g(NH4)2S2O8,200 mL CH3CH2OH,360 mL H2O | 參數(shù)7 | 50 | 20 | 50 |
參數(shù)7 | 50 | 20 | 50 | ||
參數(shù)8 | 20 | 18 | 15 |
1.3 試驗(yàn)方法
使用Struers公司的Lectropol-5電解拋光/腐蝕儀,陰極材料為不銹鋼,磨削后的試樣作為陽(yáng)極,在不同電解液和不同電解工藝參數(shù)下進(jìn)行電解拋光腐蝕,然后使用MEF4A型光學(xué)顯微鏡觀察采用不同電解液和電極工藝參數(shù)所得試樣的金相組織,找到最優(yōu)的電解液配方及電解工藝參數(shù)。
2. 結(jié)果與討論
1 號(hào)電解液
由圖1可見(jiàn):采用1號(hào)電解液,在拋光電壓40 V,電解液流量20 mL/s,拋光時(shí)間8 s(電解參數(shù)1)下所得試樣表面還有一些劃痕未去除,且存在腐蝕坑。調(diào)整電解工藝參數(shù)為拋光電壓40 V,電解液流量15 mL/s,拋光時(shí)間8 s(電解參數(shù)2),所得試樣表面仍有劃痕,且存在腐蝕坑,但劃痕數(shù)量減少。調(diào)整電解工藝參數(shù)為拋光電壓40 V,電解液流量15 mL/s,拋光時(shí)間10 s(電解參數(shù)3)可以得到無(wú)劃痕、無(wú)腐蝕坑的表面,但是腐蝕較重,以致產(chǎn)生了浮凸,得到的結(jié)果較之前有改進(jìn)。
在一定的電壓下,氟離子與鈦的反應(yīng)很快,容易出現(xiàn)試樣還未拋光好就已經(jīng)被腐蝕的現(xiàn)象,致使拋光完成就產(chǎn)生了過(guò)腐蝕現(xiàn)象,即在試樣表面產(chǎn)生浮凸和腐蝕坑。
2 號(hào)電解液
為解決腐蝕過(guò)重和產(chǎn)生浮凸的問(wèn)題,通過(guò)加入緩蝕劑以減緩氟離子與鈦的反應(yīng)速率改進(jìn)電解液配方。由圖2可見(jiàn):將電解液中HF、CH2CH3OH、H2O體積比改為1∶2∶4(2號(hào)電解液),在拋光電壓45 V,電解液流量15 mL/s,拋光時(shí)間16 s(電解參數(shù)4)下所得試樣表面有許多規(guī)則黑點(diǎn),且這些黑點(diǎn)都朝一個(gè)方向??梢耘卸ㄟ@些黑點(diǎn)是拋光不完全所留下的拋痕,這表明所選電解參數(shù)的拋光效果不好。調(diào)整電解工藝參數(shù)為拋光電壓45 V,電解液流量19 mL/s,拋光時(shí)間30 s(電解參數(shù)5),且試樣用1000號(hào)砂紙打磨,所得試樣表面仍殘留拋痕,但拋痕數(shù)量大大減少,且組織更為清晰。繼續(xù)調(diào)整電解工藝參數(shù)為45 V,電解液流量19 mL/s,拋光時(shí)間50 s(電解參數(shù)6),所得試樣截面的拋痕較少,但仍顯浮凸。這表明增加拋光時(shí)間,仍不能得到較好的結(jié)果,而且浮凸現(xiàn)象加重,故該配方需進(jìn)一步完善。
采用1000號(hào)砂紙打磨試樣可降低其表面粗糙度,有利于更好進(jìn)行電解拋光。采用酒精替代硝酸,可以減少電解液中F-含量,從而降低腐蝕作用,減輕浮凸的副作用,此外,加入酒精還可以在電解拋光過(guò)程中溶解磨面上薄膜,促進(jìn)拋光。相比于1號(hào)電解液,雖減輕了浮凸的副作用,但效果還不理想。
3 號(hào)電解液
為進(jìn)一步減緩腐蝕,將電解液配方改進(jìn)為90 mL HF,10 g(NH4)2S2O8,200 mLCH3CH2OH,360 mL H2O(3號(hào)電解液)。拋光電壓50 V,電解液流量20 mL/s,拋光時(shí)間50 s(電解參數(shù)7),且試樣用1000號(hào)砂紙打磨,所得試樣組織為α單相組織,晶界清晰,表面無(wú)浮凸,但是表面仍有局部腐蝕過(guò)重的區(qū)域,且存在腐蝕坑,見(jiàn)圖3(a)。
將電解液配方調(diào)整為90 mL HF,20 g(NH4)2S2O8,200 mL CH3CH2OH,360 mL H2O,在電解參數(shù)7下所得試樣組織為清晰的α單相組織,晶界清晰,無(wú)浮凸,且無(wú)明顯的腐蝕坑,見(jiàn)圖3(b)。
由圖3可見(jiàn),適量過(guò)硫酸銨對(duì)腐蝕具有很好的緩解作用。反應(yīng)見(jiàn)式(2)~(4)。
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(2) |
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(3) |
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(4) |
加入銨鹽,NH4+會(huì)和溶劑中的OH-結(jié)合形成氨水,OH-減少將會(huì)促使H2O的電解,H+含量增加,因此HF的電解被抑制,F(xiàn)-含量降低,在電壓-電流作用下,該過(guò)程更為明顯,最終減緩了F-對(duì)鈦的腐蝕。因此,電解液中加入適量的過(guò)硫酸銨,并采用電解參數(shù)7的拋光效果較好。
采用3號(hào)電解液[10 g(NH4)2S2O8]對(duì)Ti5553高強(qiáng)鈦合金進(jìn)行電解拋光,調(diào)整電解參數(shù)為拋光電壓20 V,電解液流量18 mL/s,拋光時(shí)間15 s(電解參數(shù)8),且試樣用1000號(hào)砂紙打磨,所得試樣組織見(jiàn)圖4??梢钥闯?,此條件下得到了清晰的α+β相組織,無(wú)浮凸,且無(wú)明顯的腐蝕坑,但腐蝕過(guò)重,因此銨鹽加入量和拋光參數(shù)(特別是拋光時(shí)間)需進(jìn)一步優(yōu)化。
本工作制備的電解拋光/腐蝕電解液不局限用于工業(yè)純鈦TA2的電解拋光,電解液配方中的HF可以腐蝕任意鈦及其合金,過(guò)硫酸銨作為緩蝕劑可以解決過(guò)腐蝕問(wèn)題,采用相應(yīng)的電解參數(shù),此電解液可以用于其他鈦合金。
3. 結(jié)論
(1)電解拋光工業(yè)純鈦TA2的最佳電解液配方為90 mL HF,20 g(NH4)2S2O8,200 mL CH3CH2OH,360 mL H2O,與之相匹配的電解工藝參數(shù)為拋光電壓50 V,電解液流量20 mL/s,拋光時(shí)間50 s。加入銨鹽可以減緩HF的腐蝕作用,使整個(gè)電解拋光過(guò)程更加可控,且其拋光效果、效率和可重復(fù)性都遠(yuǎn)好于機(jī)械拋光/腐蝕。
(2)進(jìn)行電解拋光時(shí),試樣表面粗糙度應(yīng)較低,建議采用1000號(hào)砂紙打磨試樣。這是因?yàn)楦玫某跏急砻尜|(zhì)量能夠提高電解拋光效率,不易產(chǎn)生過(guò)腐蝕現(xiàn)象,得到更好的電解拋光表面質(zhì)量。
(3)本工作所得電解液配方不局限于工業(yè)純鈦TA2的電解拋光,通過(guò)調(diào)整相應(yīng)電解拋光參數(shù),理論上可以電拋所有的鈦合金材料。
(4)電解拋光因金屬材料材質(zhì)和狀態(tài)的不同,相適應(yīng)的電解拋光液和電解參數(shù)也不相同。因此,需進(jìn)行大量的試驗(yàn)工作獲得原始數(shù)據(jù),并對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行分類和篩選,確定相適應(yīng)的電解拋光/腐蝕規(guī)范。
文章來(lái)源——材料與測(cè)試網(wǎng)